报告题目：第三代半导体SiC外延及器件技术现状及挑战
报 告 人：钮应喜（中国科学院半导体研究所教授级高级工程师）
报告时间：2023年12月4日（星期一）下午2：30
报告地点：国际工程师学院X105
主办单位：科技处，研究生部，电气工程学院，集成电路学院，高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室，安徽省车载显示集成系统工程研究中心
钮应喜：教授级高级工程师，博士毕业于西安电子科技大学，长期从事碳化硅外延材料和功率器件等领域的研究和产业化工作。发表相关领域论文近40余篇，参编2部专著；申请专利100余项；主编两个国家标准标准和两个行业标准，参与多个国家标准和国际标准；作为课题负责人承担了多个国家重点研发计划，作为项目负责人承担两个省部级项目，获安徽115产业创新团队带头人；北京市优秀青年工程师；安徽省技术领军人才；第六届“CASA第三代半导体卓越青年”；芜湖市战略新兴产业优秀人才；兼合肥工业大学行业导师，安徽师大企业导师，国际IEC晶圆级可靠性工作组专家，SEMI化合物标准会委员；全国半导体器件标准委员会委员、全国半导体材料标准委员会委员，第三代半导体产业联盟半导体学院产业导师，中关村宽禁带半导体技术联盟副秘书长。
届时欢迎广大师生积极参会、交流！